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特性
● 為850nm VCSELs優(yōu)化設(shè)計(jì)
● 與現(xiàn)有OM2+/OM3/OM4多模光纖兼容
● 優(yōu)越的幾何一致性
● 低衰減
● 高帶寬
● 低差分模時(shí)延(DMD)
● 非常低的宏彎敏感性
● 采用北億纖通專有雙層紫外光固化丙烯酸酯涂層
優(yōu)勢和應(yīng)用
● 數(shù)據(jù)中心
● 數(shù)據(jù)存儲網(wǎng)絡(luò)
● 高性能計(jì)算中心
● 辦公中心
● 局域網(wǎng)
● 1 & 10 & 40 & 100 & 400 Gb/s以太網(wǎng)
● 支持在小彎曲半徑下使用和安裝光纜
● 優(yōu)良的抗微彎性能
● 用于緊套光纜性能優(yōu)越
● 在多種環(huán)境條件下保持性能穩(wěn)定
規(guī)格參數(shù)
特性 |
條件 |
數(shù)據(jù) |
單位 |
---|---|---|---|
幾何特性 |
|||
芯直徑 |
-- |
50±2.5 |
[μm] |
芯不圓度 |
-- |
≤5.0 |
[%] |
包層直徑 |
-- |
125.0±1.0 |
[μm] |
包層不圓度 |
-- |
≤0.6 |
[%] |
涂層直徑 |
-- |
245±7 |
[μm] |
涂層/包層同心度 |
-- |
≤10.0 |
[μm] |
涂層不圓度 |
-- |
≤6.0 |
[%] |
芯層/包層同心度 |
-- |
≤1.0 |
[μm] |
光纖長度 |
-- |
最長到8.8 |
[km/盤] |
光學(xué)特性 |
|||
衰減 |
850nm |
≤2.4 |
[dB/km] |
1300nm |
≤0.6 |
[dB/km] |
|
-- |
-- |
OM2+/ OM3/OM4彎曲不敏感 |
-- |
滿注入帶寬 |
850nm |
≥700/≥1500/≥3500 |
[MHz·km] |
1300nm |
≥500/≥500/≥500 |
[MHz·km] |
|
有效模式帶寬 |
850nm |
≥950/≥2000/≥4700 |
[MHz·km] |
鏈路長度 |
-- |
-- |
-- |
40GBASE-SR4 / 100GBASE-SR101 |
850nm |
-/140/170 |
[m] |
10GBASE-SR |
850nm |
150/300/550 |
[m] |
1000BASE-SR |
850nm |
750/1000/1100 |
[m] |
差分模時(shí)延DMD |
滿足或優(yōu)于IEC 60793-2-10規(guī)范 |
-- |
-- |
數(shù)值孔徑 |
-- |
0.200±0.015 |
-- |
群折射率 |
850nm |
1.482 |
-- |
1300nm |
1.477 |
-- |
|
零色散波長 |
-- |
1295-1340 |
[nm] |
零色散斜率 |
1295nm≤λ0≤1310nm |
≤0.105 |
[ps/(nm2·km)] |
1310nm≤λ0≤1340nm |
≤0.000375(1590-λ0) |
[ps/(nm2·km)] |
|
宏彎損耗2 |
-- |
-- |
-- |
2圈,半徑15mm |
850nm |
≤0.1 |
[dB] |
1300nm |
≤0.3 |
[dB] |
|
2圈,半徑7.5mm |
850nm |
≤0.2 |
[dB] |
1300nm |
≤0.5 |
[dB] |
|
背向散射特性1300nm |
|||
臺階(雙向測量的平均值) |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
長度方向的不規(guī)律性和點(diǎn)不連續(xù)性 |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
衰減不均勻性 |
-- |
≤0.08 |
[dB/km] |
環(huán)境特性 850nm和1300nm |
|||
溫度附加衰減 |
-60℃ 到85℃ |
≤0.10 |
[dB/km] |
溫度-濕度循環(huán)附加衰減 |
-10℃ 到85℃,4%到98% 相對濕度 |
≤0.10 |
[dB/km] |
浸水附加衰減 |
23℃, 30 天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
干熱附加衰減 |
85℃,30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
濕熱附加衰減 |
85℃和85%相對濕度,30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
機(jī)械特性 |
|||
篩選張力 |
-- |
≥9.0 |
[N] |
-- |
≥1.0 |
[%] |
|
-- |
≥100 |
[kpsi] |
|
涂層剝離力 |
典型平均剝離力 |
1.5 |
[N] |
峰值力 |
≥1.3,≤8.9 |
[N] |
|
動態(tài)疲勞參數(shù)(nd, 典型值) |
-- |
20 |
-- |
備注: 1、光纜在850 nm的最大衰減為3.0 dB/km、熔接/連接器的最大總損耗為1.0 dB以及VCSEL的最大均方根譜寬≤ 0.45 nm情況下的支持距離。
2、宏彎損耗測試的注入條件需滿足IEC 61280-4-1標(biāo)準(zhǔn)。
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